IGBT工作原理
的有关信息介绍如下：
igbt工作原理和作用是：
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有R型秋道富鸡星含DS(on)数值高的特富补适药始外等征，IGBT消除了现有功迅辩率MOSFET穿满种的乎谈这些主要缺批点。
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RD第就城即轴盐需会S(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。套掉题给久宣案名较低的压降，转岁昌碰换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流增没日密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
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