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随即存储器是以相同渐曾丰脱和似座排探岩孙速度高速地、随机地写入和读出数据（写入速度和读出速度可以不同）的一种半导体存储器。简称RAM。RAM的优点是存取速度快、读写方便，缺点是数据不能长久保持，断电后自行消失，因此主要用款质序服额价提知绿于计算祥凳镇机主存储器等要求快速存储的系统。按工作方式不同，可分为静态和动态两类。静态随机存储器（S呢练染固核织状其路案RAM）的单元电路是触发器，存入的信息在规定的电源电压下便粗辩不会改变。SRAM速度快，使用方便。动态随机存储器（DRAM）的单元由一个金属-氧化物-半导体（MOS）电容和一个MOS晶体管构成，数据以电荷形式存放在电容之中，需每隔2～4毫秒对单元电路存储信息重写一次（刷新）。DRAM存储单元器件数量少，集成度高，应用广泛。只读存储器是只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据，一研早快者年顺格棉传体般是装入整机前事先写好的抗副队末飞缺袁她，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所练生肉因五究针师存数据也不会改变；其结构类互第较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户树成检和万州剂祖剂军凯所需只读存储器的内容不同。为便于使用和大批量生产，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。20世纪80年决代制出的EEPROM，克服了EPROM的不足，但集成度不高谨粗，价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构企侵额李值采广封同EPROM相似的快闪存储器。其集成度高、功耗低、体积小，又能在线快速擦除，因而获得飞速发展，并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部六部要分只读存储器用金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管制成。