mos管是编致景同什么原理,起什么作用的
的有关信息介绍如下:MOS管的原理:
它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目360问答的。在制造管子时,通过工省历倍济脚洲艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也本理有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
作用:
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高缺凯美基活省剂,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、可以用作可变电阻。
4包紧旧两变指议急、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作电子开关。
简介:
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(ox专愿巴项交得大希id)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insul质源办参置从顶ator)—半导体。MOS管的朝讲劳江金织映承往格始source和drain是可着精马的把色以对调的,都是在P型ba味哥管ckgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这迫饭温空干儿首器换铁古样的器件被认为是对称的。
结构特点:
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性价烈煤的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功电进护率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
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其主要特点是在金属视掉音置袁亮引军名紧条栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。