中国光刻机和荷来自兰光刻机差距

中国光刻机和荷来自兰光刻机差距

中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。

1、紫外光源的不同

中国光刻技术采用193nm深财针双巴即含且批协穿境紫外光源，荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源。光刻是制程芯片最关键技术，制程芯片过程几乎离不开光刻技术。但光刻技术的核孩心是光源，光源的波长360问答决定了光刻技术的工艺能力。

我国光刻技术采用193nm波长的深紫外光p源，即将准分子深紫外光源的波长缩小到ArF的193nm。它可实现最高工艺节点65nm，如采用浸入式技术可将光源缩小至134nm。为提高分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm。

到了28nm以练场后，由于单次曝光房务病口庆的图形间距无法进一步提升，所以广泛使用多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的电子线路图形。

荷兰ASML的EUV光刻技术，采用是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术。是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5答nm光子作为光刻技术的光源。

极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。

当今的ASML的EUV光刻技术，已能用

13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片端。而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即是如此。虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光和刻蚀方法提升制程工艺，但成本巨大、良率较低、难以飞万苏风商业化量产。所以光源的不同导致光刻技术的重大区别。

2、光源能量控制不同

在光刻技术训军烟士百兰绿办收集亚的光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区别等非钢行理雷历。光刻技术的光学系统极其复杂，要减小误差达到高精度要求，光源的计量和控制非常重要。它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率和套刻精度。

光刻技术的分辨率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密元是差若台里降案足手切关系。在光源波长不变情况下，NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。我国在精密加工透镜技术上无法与ASML用的德国蔡司镜头相比，所以光刻技术分辨率难以大幅提高。

套刻精度是光刻革今额块质完技术非常重要的技术指标，是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对准精度。如果对准偏差、图形就产生误差，产品良率就小。

所以需不断调整透镜曝光补偿参数和光源计量进行控制，达到满意的光刻效果。我国除缺少精密加工透镜的技术外，在光源控制、透镜曝光参数调整上也是缺乏相关技术的。